905nmAPD single tube series

Modelo: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2-P GD5210Y-2-5-P

Maikling Paglalarawan:

Ang device ay isang silicon avalanche photodiode, ang spectral na tugon ay mula sa nakikitang liwanag hanggang sa malapit-infrared, at ang peak response wavelength ay 905nm.

kumuha ng quote I-download

Teknikal na Parameter

MGA TAMPOK

APLIKASYON

Mga Tag ng Produkto

Mga katangiang photoelectric (＠Ta＝22±3℃)
Modelo		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	Array
Form ng package		TO-46	TO-46	TO-46	LCC3	LCC3	plastic packaging	plastic packaging	PCB
Photosensitive na diameter ng ibabaw (mm)		0.23	0.50	0.80	0.23	0.50	0.23	0.50	customized
Spectral response range (nm)		400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100
Peak na wavelength ng tugon (nm)		905	905	905	905	905	905	905	905
Pagkatugon λ=905nm Φ=1μW M=100 (A/W)		55	55	55	55	55	55	55	55
Madilim na kasalukuyang M=100(nA)	Karaniwan	0.2	0.4	0.8	0.2	0.4	0.2	0.4	Ayon sa photosensitivity
Madilim na kasalukuyang M=100(nA)	Pinakamataas	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	Isang gilid
Oras ng pagtugon λ=905nm R1=50Ω(ns)		0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	Ayon sa photosensitive na ibabaw
Working voltage temperature coefficient T=-40℃~85℃(V/℃)		0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9
Kabuuang kapasidad M=100 f=1MHz(pF)		1.0	1.2	2.0	1.0	1.2	1.0	1.2	Ayon sa photosensitive na ibabaw
pagkasira ng boltahe IR=10μA(V)	pinakamababa	130	130	130	130	130	130	130	160
pagkasira ng boltahe IR=10μA(V)	Pinakamataas	220	220	220	220	220	220	220	200

Nakaraan: 800nmAPD solong serye ng tubo

Susunod: 1064nmAPD solong serye ng tubo

Istraktura ng Chip sa Harap ng Plane

Mataas na bilis ng tugon

Mataas na kita

Mababang junction capacitance

Mababang ingay

Maaaring i-customize ang laki ng array at photosensitive na ibabaw

Laser ranging

Lidar

Babala ng laser