Pabrika ng DETECTOR, Mga Supplier - Mga Tagagawa ng DETECTOR ng China

355nm APD

Ito ay Si avalanche photodiode na may malaking photosensitive na ibabaw at pinahusay na UV.Nagbibigay ito ng mataas na sensitivity mula sa UV hanggang NIR.

PAGTATANONG detalye
800nm APD

Ito ay Si avalanche photodiode na nagbibigay ng mataas na sensitivity mula sa UV hanggang NIR.Ang peak response wavelength ay 800nm.

PAGTATANONG detalye
905nm APD

Ito ay Si avalanche photodiode na nagbibigay ng mataas na sensitivity mula sa UV hanggang NIR.Ang peak response wavelength ay 905nm.

PAGTATANONG detalye
1064nm APD

Ito ay Si avalanche photodiode na nagbibigay ng mataas na sensitivity mula sa UV hanggang NIR.Ang peak response wavelength ay 1064nm.Responsibilidad: 36 A/W sa 1064 nm.

PAGTATANONG detalye
1064nm APD Module

Ito ay pinahusay na Si avalanche photodiode module na may pre-amplification circuit na nagbibigay-daan sa mahinang kasalukuyang signal na palakasin at i-convert sa boltahe signal upang makamit ang proseso ng conversion ng photon-photoelectric-signal amplification.

PAGTATANONG detalye
Mga Module ng InGaAs APD

Ito ay indium gallium arsenide avalanche photodiode module na may pre-amplification circuit na nagbibigay-daan sa mahinang kasalukuyang signal na palakasin at i-convert sa boltahe signal upang makamit ang proseso ng conversion ng photon-photoelectric-signal amplification.

PAGTATANONG detalye
Four-quadrant APD

Binubuo ito ng apat na parehong unit ng Si avalanche photodiode na nagbibigay ng mataas na sensitivity mula sa UV hanggang NIR.Ang peak response wavelength ay 980nm.Responsibilidad: 40 A/W sa 1064 nm.

PAGTATANONG detalye
Four-quadrant APD modules

Binubuo ito ng apat na parehong unit ng Si avalanche photodiode na may pre-amplification circuit na nagbibigay-daan sa mahinang kasalukuyang signal na palakasin at i-convert sa boltahe signal upang makamit ang proseso ng conversion ng photon-photoelectric-signal amplification.

PAGTATANONG detalye
850nm Si PIN modules

Ito ay 850nm Si PIN photodiode module na may pre-amplification circuit na nagbibigay-daan sa mahinang kasalukuyang signal na palakasin at i-convert sa boltahe signal upang makamit ang proseso ng conversion ng photon-photoelectric-signal amplification.

PAGTATANONG detalye
900nm Si PIN photodiode

Ito ay Si PIN photodiode na gumagana sa ilalim ng reverse bias at nagbibigay ng mataas na sensitivity mula sa UV hanggang NIR.Ang peak response wavelength ay 930nm.

PAGTATANONG detalye
1064nm Si PIN photodiode

Ito ay Si PIN photodiode na gumagana sa ilalim ng reverse bias at nagbibigay ng mataas na sensitivity mula sa UV hanggang NIR.Ang peak response wavelength ay 980nm.Responsibilidad: 0.3A/W sa 1064 nm.

PAGTATANONG detalye
Mga module ng Fiber Si PIN

Ang optical signal ay na-convert sa kasalukuyang signal sa pamamagitan ng pag-input ng optical fiber.Ang module ng Si PIN ay may pre-amplification circuit na nagbibigay-daan sa mahinang kasalukuyang signal na palakasin at i-convert sa boltahe signal upang makamit ang proseso ng conversion ng photon-photoelectric-signal amplification.

PAGTATANONG detalye