355nm APD

Modelo: GD5210Y-0-1-TO5/ GD5210Y-0-2-TO5

Maikling Paglalarawan:

Ito ay Si avalanche photodiode na may malaking photosensitive na ibabaw at pinahusay na UV.Nagbibigay ito ng mataas na sensitivity mula sa UV hanggang NIR.

kumuha ng quote I-download

Teknikal na Parameter

Mga Tag ng Produkto

Mga tampok

Frontside iluminado flat chip
Mataas na bilis ng tugon
Mataas na nakuha ng APD

Mga aplikasyon

Medikal
Biology

Parameter ng photoelectric（@Ta=22±3℃）

Item #	Kategorya ng package	Diameter ng photosensitive na ibabaw(mm)	Spectral response range(nm)	Responsibilidad λ=355nm φ_e=1μW M=100 (A/W)		Madilim na agos M=100 (nA)		Temperatura Coefficient Ta=-40℃～85℃ （V/℃）	Kabuuang kapasidad M=100 f=1MHz （pF）	Pagkasira Boltahe IR=10μA （V）
				VR=10V	VR=8V	Typ.	Max.			Min.	Max.
GD5210Y-0-1-TO5	TO-5	1.8	300～1100	0.22	6.75	3	10	0.4	20	80	200
GD5210Y-0-2-TO5	TO-5	3.0				15	50		50